RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
68
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,636.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
2498
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Visiontek Products LLC F6451U67F9333G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link