RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
68
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,636.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
47
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
2537
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link