RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
3155
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link