RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2706
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link