RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2588
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston ACR16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link