RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
3208
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link