RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2903
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link