RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2900
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link