RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
3049
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link