RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2060
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link