RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2562
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link