RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
72
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
49
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2673
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link