RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
72
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
63
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
1863
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link