RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
72
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3423
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link