RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
72
Wokół strony -177% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
22.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3962
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link