RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
72
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3211
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link