RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
72
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2856
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link