RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
72
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2856
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link