RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
72
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3419
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link