RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
72
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3845
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre 0000 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link