RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
72
Wokół strony -112% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2902
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link