RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
72
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
70
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2519
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link