RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3008
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link