RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3495
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link