RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
AMD R744G2400U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
64
Wokół strony -191% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2862
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link