RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
64
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3119
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link