RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
70
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
70
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1971
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link