RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3583
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link