RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
64
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3490
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link