RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
64
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3436
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link