RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
64
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3460
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link