RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
64
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2497
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link