RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
64
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
61
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2025
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link