RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3036
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link