RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2689
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link