RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
64
Wokół strony -205% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3507
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link