RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
64
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3552
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link