RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
64
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3234
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link