RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
64
Wokół strony -256% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3668
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link