RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
64
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3803
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link