RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
64
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3047
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link