RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
107
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.7
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
107
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1022
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link