RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
64
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2841
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link