RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
64
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
42
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2822
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link