RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
64
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3119
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link