RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
64
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3119
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link