RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
64
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3415
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
INTENSO 5641152 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link