RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston XK2M26-MIE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
64
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2297
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link