RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
64
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
42
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2701
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link