RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
64
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2489
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link