RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
64
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2676
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link