RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
64
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2947
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link